May 29, 2024
EasyGaN™：簡化高效能電源裝置設計流程
EasyGaN™為晶炫半導體(CGPS)發表之一系列創新的氮化鎵(GaN)功率元件產品。這款新型的氮化鎵功率元件將為電力電子行業帶來重大變革，使得使用者可以輕鬆替換傳統的MOSFET，而無需重新設計電路板，大幅降低產品設計的門檻，並加快產品上市的速度。
相較於常見的MOSFET，氮化鎵(GaN)功率元件採用氮化鎵電晶體具備更高的耐壓能力，並能以更高的頻率操作。然而，傳統的MOSFET只需三個接腳即可運作，而一般的氮化鎵(GaN)功率元件需要四至六個接腳，因為氮化鎵(GaN)電晶體需要驅動器才可運作，且驅動器需外加電源供應，因此需額外配置接腳導入電源專門供電給驅動器。因為接腳的設計不同，在電力電子裝置中，現有的氮化鎵(GaN)功率元件無法直接替換傳統的MOSFET。
EasyGaN™通過其獨特的電路架構，成功解決了這一難題。 EasyGaN™巧妙地導引元件中的電源直接供給驅動器，無需額外的接腳外接驅動器專用的電源。這一突破性的設計使得EasyGaN™僅需三個接腳即可操作，從而完美兼容現有的MOSFET設計。這一特點使得電路板無需進行任何修改，使用者可以輕鬆地將原本的MOSFET更換為採用GaN電晶體的EasyGaN™功率元件。
晶炫半導體致力於創新和提升使用者體驗， EasyGaN™不僅簡化了工程師的設計流程，並具有短路電流保護(Short Circuit Protection, SCP)、過溫保護 (Over Temperature Protection, OTP)、電流感測 (Current Sensing, CS)、欠壓鎖定 (Under Voltage Lock Out, UVLO)等功能，提供了更高效、更可靠的解決方案。我們相信， EasyGaN™將成為推動下一代高性能電子設備發展的關鍵推動力。
EasyGaN™技術規格如下：
◆ Comprsieing Depletion-mode/Enhancement-mode GaN HEMT Gate Driver
◆ PWM PIN compatibility 9 to 18V
◆ Over temperature protection
◆ Short circuit protection
◆ Programmable turn-on dV/dt
◆ 30 ns typical delay time
◆ 10 ns Typical Rise / 10 ns Typical Fall time
EasyGaN™ 產品資訊:
業務聯絡窗口：
業務信箱：salesandmarketing@chipganpower.com